第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设招标采购公告（2024）

第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目

建设地点： 大兴新城东南片区0605-022C地块
公示时间：2024-08-13至2024-08-27
受理时间：2024-08-13
项目概况：北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块，厂址中心坐标为东经116°20′49.6104″（116.347114），北纬39°40′29.5752″（39.674882），为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2，总建筑面积105913.29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
环评文件全本公示稿： 环境影响报告书全本（公示稿）.pdf
公众参与说明：
公示期间，公众可以向建设单位或环评单位咨询建设项目环境影响有关情况。
行政相对人名称：北京天科合达半导体股份有限公司
联系人：周少良
联系电话：15910490149
环评单位名称：北京市科学技术研究院资源环境研究所
公示期间，公众可以采取信函、传真或留言方式，向我局提出建设项目审批的有关意见和建议，请注明“对某项目环评审批的意见或建议”，并留下联系方式（姓名、地址、电话、或者邮箱等），以便我们及时答复反馈。
审批部门：北京市生态环境局
邮政编码：
邮寄地址：北京市通州区留庄路3号院2号楼
传真电话：010-55522666
设定依据：1、《中华人民共和国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。2、《中华人民共和国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。3、《中华人民共和国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。4、《中华人民共和国水污染防治法》第十九条。5、《中华人民共和国环境噪声污染防治法》第十三条。6、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。7、《中华人民共和国放射性污染防治法》第二十九条。8、《建设项目环境保护管理条例》第六条。
行政相对人统一社会信用代码：

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投标 / 标书制作要点（原创）

本第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设涉及「招标采购公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标采购公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。

标书制作联系冯经理：17551026086