土壤地下水自行监测招标采购公告（2025）
根据《2024年苏州市环境监管重点单位名录》华昕科技（苏州）有限公司被纳入土壤污染监管单位名录中，依据《土壤污染防治法》规定的责任和义务开展企业土壤地下水隐患排查、控制有毒有害物质的排放以及企业制定并实施土壤、地下水自行监测，现将企业2024年度 土壤地下水污染防治责任与义务予以发布。
污染防治责任与义务：
1.开展土壤地下水隐患排查与治理
2.控制有毒有害物质的排放
3.制定并实施土壤、地下水自行检测
监测项目：
1.土壤检测因子：GB 36600基本45项及企业特征因子：铋、镍、锡、银、丙酮、石油烃等
2.地下水监测因子：GB/T14848表1中35项及企业特征因子：铋、镍、锡、银、丙酮、石油烃等
监测结果：-
1.土壤满足《土壤环境质量 建设用地土壤污染风险管控标准（实行）（GB36600-2018)第二类用地风险筛选值
2.地下水超过《地下水治理标准》（GB/T 14848-2017)Ⅳ类标准，超标因子为浊度，为常规因子，且企业生产中不设计
附件1：
03.华昕科技（苏州）有限公司 有毒有害物质排放报告.pdf
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附件2：
02.华昕科技（苏州）有限公司 土壤和地下水自行监测报告.pdf
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附件3：
04.华昕科技（苏州）有限公司 土壤污染隐患排查报告.pdf
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华昕科技（苏州）有限公司土壤污染隐患排查报告委托单位：华昕科技（苏州）有限公司编制单位：江苏康达检测技术股份有限公司二O二四年十一月目录1总论...........................................................................................................................1.1编制背景..........................................................................................................1.2排查目的与原则..............................................................................................1.2.1排查目的................................................................................................1.2.2排查原则................................................................................................1.3排查范围..........................................................................................................1.4编制依据..........................................................................................................1.4.1法律法规................................................................................................1.4.2技术规范及标准1.4.3其他相关文件2企业概况2.1企业基础信息2.2建设项目概况2.3原辅料及产品情况2.4生产工艺及产排污环节2.4.1单体半导体、系统LSI生产工艺和产污环节2.4.2电镀生产工艺和产污环节2.4.3半导体集成电路生产工艺和产污环节2.4.4二极管生产工艺和产污环节2.4.5低温自动浓缩设备工艺2.4.6扩建项目单体半导体和半导体集成电路生产工艺流程2.5涉及的有毒有害物质2.6污染防治措施2.7历史土壤和地下水环境监测信息3排查方法3.1资料收集3.2人员访谈3.3重点场所或者重点设施设备确定I3.4现场排查方法4土壤污染隐患排查4.1重点场所、重点设施设备隐患排查4.1.1液体储存区4.1.2散状液体转运与厂内运输区4.1.3货物的储存和运输区4.1.4生产区4.1.5其他活动区4.2隐患排查台账5结论和建议5.1隐患排查结论5.2隐患整改方案或建议5.3对土壤和地下水自行监测工作建议6附件附件1：厂区平面布置图附件2：企业有毒有害物质信息清单附件3：重点场所或者重点设施设备清单II1总论1.1编制背景华昕科技（苏州）有限公司（以下简称“华昕科技”）成立于2020年11月27日，由华东科技（苏州）有限公司出资成立，租赁松下汽车电子系统（苏州）有限公司（2021年10月1日由苏州松下半导体有限公司更名为松下汽车电子系统（苏州）有限公司）的现有厂房，位于苏州高新区枫桥街道鹿山路666号，经营范围为集成电路、集成电路芯片及产品、电力电子元器件的制造及销售，并提供售后服务。目前，华昕科技已与松下汽车电子系统（苏州）有限公司达成协议，将松下汽车电子系统（苏州）有限公司的单体半导体、系统LSI、LED、半导体集成电路、二极管等产品的生产出售给华昕科技（苏州）有限公司。现生产线实行三班两运制，每天工作时数24h，年工作350天，年工作8400h。根据《中华人民共和国土壤污染防治法》、《工矿用地土壤环境管理办法（试行）》（生态环境部部令第3号）等法律法规相关要求，华昕科技为土壤环境重点监管企业，需建立土壤和地下水隐患排查报告，同时按照《工业企业土壤和地下水自行监测技术指南（试行）》（HJ1209-2021）、《重点监管单位土壤污染隐患排查指南（试行）》、省生态环境厅关于印发《土壤污染重点监管单位土壤污染隐患排查“回头看”试点工作方案》的通知（苏环办〔2022〕279号），自行开展本厂区内土壤和地下水环境监测工作，并开展土壤和地下水隐患排查。华昕科技按照国家法规的要求，开展土壤和地下水隐患排查工作，已组织专业技术人员进行了现场踏勘、并进行了人员访谈和资料整理，排查了重点区域和重点设施的隐患区域，编制了《华昕科技土壤污染隐患排查报告》。1.2排查目的与原则1.2.1排查目的华昕科技隐患排查工作目的是排查厂区内重点设施的土壤和地下水污染隐患风险，建立土壤和地下水污染隐患排查治理制度，定期对重点设施开展隐患排查。通过隐患排查发现土壤和地下水存在污染迹象的，应当排查污染源，查明污染原因，采取措施防止新增污染；同时制定整改方案，及时采取技术、管理措施消除隐患。第1页，共82页1.2.2排查原则针对性原则：针对企业的生产活动特征和潜在污染物特性，进行土壤和地下水隐患排查，为企业土壤和地下水污染防范提供依据。规范性原则：采用程序化、系统化、规范化的工作程序、排查方法开展隐患排查工作，保证排查工作的完整性、科学性以及排查结果的客观性。安全性原则：重点监管企业涉及众多易燃易爆和有毒有害物质，开展现场排查作业过程中，要严格遵从相关安全作业要求，确保现场作业安全。可操作性原则：综合考虑土壤和地下水污染隐患排查情况、隐患区域现场实际情况以及企业实际生产经营状况等因素，提出切实可行的隐患整改措施。1.3排查范围根据《重点监管单位土壤污染隐患排查指南（试行）》，隐患排查范围主要为：（一）重点物质排查，包括但不限于危险化学品、固体废物；（二）重点设施设备及活动排查，包括散装液体储存设施设备、散装液体的运输及内部转运设施设备、散装和包装货物的储存与运输设施设备、生产加工装置以及企业生产过程中可能造成土壤污染的其它活动。1.4编制依据1.4.1法律法规（1）《关于印发近期土壤环境保护和综合治理工作安排的通知》（国办发〔2013〕7号）；（2）《江苏省政府关于印发江苏省土壤污染防治工作方案的通知》（苏政发〔2016〕169号）；（3）《污染地块土壤环境管理办法（试行）》（生态环境部令第42号，2017年7月1日起施行）；（4）《工矿用地土壤环境管理办法（试行）》（生态环境部令第3号，2018年8月1日起施行）；（5）《中华人民共和国土壤污染防治法》（2019年1月1日起施行）；（6）《江苏省土壤污染防治条例》（江苏省人大常委会公告第80号，2022年3月31日通过，2022年9月1日施行）。第2页，共82页1.4.2技术规范及标准（1）《地表水环境质量标准》（GB3838-2002）；（2）《土壤环境监测技术规范》（HJ/T166-2004）；（3）《岩土工程勘察规范》（GB50021-2001（2009修订版））；（4）《建设用地土壤环境调查评估技术指南》（生态环境部公告2017年第72号）；（5）《地下水质量标准》(GB/T14848-2017）；（6）《排污单位自行监测技术指南总则》（HJ819-2017）；（7）《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）；（8）江苏省地方标准《建设用地土壤污染风险筛选值》（DB32/T4712-2024）；（9）《建设用地土壤污染风险管控和修复术语》（HJ682-2019）；（10）《建设用地土壤污染状况调查技术导则》（HJ25.1-2019）；（11）《建设用地土壤污染风险管控和修复监测技术导则》（HJ25.2-2019）；（12）《建设用地土壤污染风险评估技术导则》（HJ25.3-2019）；（13）《地块土壤和地下水中挥发性有机物采样技术导则》（HJ1019-2019）；（14）《地下水环境监测技术规范》（HJ164-2020）；（15）《工业企业土壤和地下水自行监测技术指南（试行）》（HJ1209-2021）；（15）《重点监管单位土壤污染隐患排查指南（试行）》（生态环境部公告2021年第1号）；（16）省生态环境厅关于印发《土壤污染重点监管单位土壤污染隐患排查“回头看”试点工作方案》的通知（苏环办〔2022〕279号）。1.4.3其他相关文件（1）《华昕科技（苏州）有限公司扩建年产5.52千万个单体半导体、3千万个半导体集成电路项目环境影响报告表》（2022年）；（2）《苏州松下半导体有限公司建设项目拆分报告》（2021年）；（3）《华昕科技（苏州）有限公司土壤和地下水自行监测报告》（2022年、2023年）；（4）《华昕科技（苏州）有限公司土壤污染隐患排查报告》（2022年）；（5）厂区平面布置图；第3页，共82页（6）华昕科技（苏州）有限公司提供的其他相关资料。第4页，共82页2企业概况2.1企业基础信息华昕科技（苏州）有限公司（以下简称“华昕科技”）成立于2020年11月27日，由华东科技（苏州）有限公司出资成立，租赁松下汽车电子系统（苏州）有限公司（2021年10月1日由苏州松下半导体有限公司更名为松下汽车电子系统（苏州）有限公司）的现有厂房，位于苏州高新区枫桥街道鹿山路666号，经营范围为集成电路、集成电路芯片及产品、电力电子元器件的制造及销售，并提供售后服务。目前，华昕科技已与松下汽车电子系统（苏州）有限公司达成协议，将松下汽车电子系统（苏州）有限公司的单体半导体、系统LSI、LED、半导体集成电路、二极管等产品的生产出售给华昕科技（苏州）有限公司。现生产线实行三班两运制，每天工作时数24h，年工作350天，年工作8400h。厂区地理位置示意图见图2.1-1，企业基本信息见表2.1-1。表2.1-1企业基本信息表单位名称华昕科技（苏州）有限公司法人代表于鸿祺邮政编码215000单位地址苏州高新区鹿山路666号所在市苏州市经济性质有限公司所在镇（区）高新区职工人数667人所在村（街道）枫桥街道占地面积16810m2所属行业电子器件制造企业信用代码91320505MA23D2XL1Q主要产品半导体集成电路经度坐标120.49151301历史事故无纬度坐标31.32608771第5页，共82页云听松阁江苏大阳山阳东村史家桥七隐E绝望坡嵩山路俞宅前苏州乐园建森林水世界林路前桥泰山路中环嵩山路西线泰山路苏州乐园森林世界华昕科技（苏t太湖大道立交珠江路罗家门马涧路湘江路马运路后巷里岭脚下莲花峰华山路湘江路黄泥村白马涧龙池风景区霞光塔子汇新区公园邓尉路金山东路1公里@2024高德软件有限公司-GS2023)4677号-甲测资字11111093-京ICP备07017245号-2-京公网安备11010502030880号1羊柯柜湘马运路生产车间图2.1-1企业地理位置华昕科技（苏州）有限公司厂区总面积约16810m2，平面布置见下图2.2-1。华昕科技（苏州）有限公司平面图8888688888888888888取工停车汤森林水世界泰山路气站生活林工厂栋（B栋）会气生产B栋主要生产区域：松下水箱8小部分生产区域：华听2辅助区域：共用防水箱电镀车间-工厂栋（A栋）A栋生产区域：华析2.2建设项目概况罗家门江辅助区域：共用出入口霞光废永监测室湘品仓库般固废危废鹿山路仓库仓库塔子汇图2.2-1项目平面布置图第6页，共82页2.3原辅料及产品情况项目主要产品方案见下表2.3-1，主要原辅材料见下表2.3-2。表2.3-1项目产品方案一览表项目名称产品名称设计规模/年已验收规模/年生产线位置年工作时间新工场A栋建设项目（一期）单体半导体1248百万个1248百万个A栋1楼系统LSI年产6456百万个单体半导体扩建项目（三期）单体半导体6456百万个5380百万个A栋1楼年产半导体集成电路12518百万个扩建项目（四期）LED3480百万个3480百万个B栋2楼8400h半导体集成电路及二极管扩建项目（五期）半导体集成电路140百万个140百万个A栋2楼二极管366百万个366百万个A栋1楼扩建年产5.52千万个单体半导体、3千万个半导体集成电路项目单体半导体和系统LSI5.52千万个5.52千万个A栋半导体集成电路3千万个3千万个A栋备注：二期项目不再建设表2.3-2项目主要原辅材料一览表类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注芯片Si4049引脚框架Cu/Ni/Sn、Ag1835基板Au6528固定带/带基板500Ag银浆皿268金线115封止用树脂A聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯7297一期项目玻璃金属罩146A栋电镀液12146传送带/热压着带19886塑料卷盘10980压层板带5922标签508包装8019类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注装箱7052芯片Si449引脚框架Cu98.41%、Ag0.6%、Sn0.54%、Ni0.45%1835基板Si2128固定带/带基板42银浆Ag80%31金线10封止树脂7297玻璃金属罩146锡球1200树脂B-12904800氢氧化钠144硫酸600L过氧化氢240L磷酸三钠240L三期项目Cu蚀刻液硫酸、双氧水240LA栋镀液N-1KS氢氧化钾480镀液Z-1三乙醇胺144镀液PF-ACID烷基磺酸、水1380镀液PF-TIN15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸2160镀液PF-Bi15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸420镀液PF-05M表面活化剂、烷基磺酸、水、甲醇等216LSPF-03EJ烷基磺酸、水、有机化合物768L传送带/热压着带19886塑料卷盘10980压层板带5922标签508包装8019装箱7052芯片3497百万个四期项目基板3497百万个B栋类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注四期项目金线10.3百万米B栋四期项目白浆65.3B栋四期项目荧光粉234B栋四期项目树脂1813B栋四期项目卷盘1.17百万件B栋四期项目基带15439mB栋四期项目封带30261mB栋四期项目焊针25778件B栋四期项目吸嘴2900件B栋四期项目顶针2784件B栋四期项目MPP-FAD-V3-P-0022436件B栋四期项目检基板10069件B栋四期项目溴丙烷8700B栋四期项目丙酮5290B栋四期项目异丙醇5568B栋四期项目硅晶圆*12英寸7000万个B栋四期项目切割刀205F-SE27HECC/10把/盒350把B栋四期项目磨刀石10PCS/盒88个B栋四期项目点浆针1380/5P146个B栋四期项目顶针0.7*15*250UR*10L/60根/盒700根B栋四期项目吸嘴R3-09-E/10PCS/盒4375个B栋四期项目加热条加热器-460-10L0.1131根B栋四期项目橡胶条4990129根B栋五期项目海绵条49900117根A栋四期项目玻璃胶带3毫米*10M12卷B栋四期项目包装束带30*1502771卷B栋四期项目美纹纸胶带18MM*22MM/9MM*22MM175卷B栋四期项目绑带ReelBand24MM729卷B栋四期项目标签73*42MM*3300PCS292卷B栋四期项目色带84MM*300M160卷B栋四期项目焊针50PCS/包29167根B栋四期项目清模条SF-2000(210*9*7)(230*9*7)8400B栋类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注润模条W90603281清模树脂13*2.2、13*2.8、13*3.8、16*7.0、18*9.02917润模树脂13*3.7、13*5.016.8.0、18*11.5875封装树脂G631:13*3.8、13*4.6、13*4.7230t插座L256-28*28，L216-24*24，L176-24*242100个pin针MX-D040-570RRS-01/YPW-7XT03-056C100993根UV膜ADWILLD-680P270290MM*279MM*500PCS105卷无水酒精500ML/瓶614kg金线5000M/卷/19UM/22UM/22.5UM/24.5UM35000km铜线3000M/1卷/20UM/25UM24792km框架QPDP/QFSM-100HP14(2P)/3200PCS/盒146百万个托盘24*24*1.42.9百万个银浆15G/支158银浆通针SF-2000(210*9*7)(230*9*7)84根镜面硅片8英寸48个托盘盖板无480个干燥剂DY-OP-BRI-5-P01-3S0.64百万个铝袋PAL-9+04SPPAL-10-20SPAL-8-20S0.33百万个卷盘EIAJ-RRM-16CCEIAJ-RRM-24DC6100卷编带TQFP64-10*10LQFP100-P-1414HQFP-07071500卷芯片SF-2000(210*9*7)(230*9*7)4682.6单体半UV膜391.44导体（含引脚框架Cu、Ni、Pd、Au4365.55164系统LSI）（扩建银浆60~90%银粉、10~30%环氧树脂221.916A栋项目）上编带（黄宽）94.1386编带SF-2000(210*9*7)(230*9*7)609.875类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注卷盘304.507切割刀金刚石13.44磨刀石0.264切割药液水溶性高聚物74.4点浆针0.1536针筒0.1452公母配套用垫片0.1494探针KT-70R(L=20)4536pcs探针KT-110R(L=30)966pcs上治具A板1片0.00805下治具A板1片0.00805基板Au8656固定带/带基板542Ag银浆皿268金线125封止用树脂A聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯14594玻璃金属罩292电镀液12146传送带/热压着带39772塑料卷盘21960压层板带11844标签1016包装16038装箱14104锡球1200树脂B-12904800氢氧化钠144硫酸600L过氧化氢240L磷酸三钠240LCu蚀刻液硫酸、双氧水240L镀液N-1KS氢氧化钾480类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注镀液Z-1三乙醇胺144镀液PF-ACID烷基磺酸、水1380镀液PF-TIN15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸2160镀液PF-Bi15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸420镀液PF-05M表面活化剂、烷基磺酸、水、甲醇等216LSPF-03EJ烷基磺酸、水、有机化合物768LBG膜塑料80.89UV膜D-175*塑料209磨轮金刚石10芯片氢氧化钾2900万个框架氢氧化钾17750万个金线氢氧化钾37500km铜线氢氧化钾27292km银浆银＞50%、丙烯酸酯低聚物5~10%、丙烯酸酯单体5~10%188UV膜塑料69卷点浆针氢氧化钾166pc半导体顶针750pc集成电焊针4590pc路（二极管）（扩切割刀100pcA栋建项目）无水乙醇乙醇690吸嘴氢氧化钾4675pc塑封料二氧化硅60~90%、环氧树脂5~10%、酚醛树脂1~5%、炭黑0.1~1%255272清模模条合成橡胶45~55%、硅粉填料15~45%、聚乙烯蜡1~3%、固化剂0.1~2%9774清模料三聚氰胺甲醛树脂约67.1%、有机粘土约20%、纤维约11%、聚合物约1.9%3380润模模条聚氨酯树脂＞89%、正已烷＞9%、二氧化硅（油）＜1%3638润模料二氧化硅60~80%、环氧树脂11~17%、硬化剂6~10%、催化剂＜1106类别名称型号、成分、含量年用量kg/a备注润模料1%、炭黑＜0.1%、溴化环氧树脂0.5~4%1106干燥剂二氧化硅1109铝袋聚乙烯/铝2495C3标签/62.4色带/8.9束带聚丙烯3331.72.4生产工艺及产排污环节2.4.1单体半导体、系统LSI生产工艺和产污环节一期项目项目包括单体半导体、系统LSI以及模拟LSI，产品生产工艺说明如下：第13页，共82页接受检查氮气、高压气·纯水一高压气氮气成形主框架金线、氮气树脂、氮气包装S1-5树脂、氮气封脂铸型G1-2图2.4-1单体半导体、系统LSI生产工艺流程图检查：对已经扩散的半导体的入库、品种等进行检查；贴带子：真空条件下，在UV膜上贴上已经扩散的半导体硅片，将膜剪切成圆弧形，外侧部分废弃；切割：从扩散完毕的半导体硅片中将小片切出，边整边切；第14页，共82页洗净：为了冷却切刀和冲洗削下的碎屑，要边切边用纯水清洗；崩片：在高压条件下将切割万的硅片拉伸；紫外线照射：在氮气、氢气混合气（N2：H2=91：9）中，根据UV照射灯，将底座和UV纸之间的粘贴强度调到适合的弱度，使用氮气的目的是作为保护气，防止表面热氧化；氢气作为还原剂阻止可能发生的氧化反应；引脚成型：把切换片（即切割好的块状半导体）装入初步加工好的主框架上；切定册：引脚部分成型的同时切定册；粘结：在框架引脚上贴芯片；粘金线：在芯片和框架引脚间根据金线配线；封脂铸型：将芯片和框架引脚夹入模具，封入热硬化型的树脂，进行封止；去毛刺：去除塑胶上的毛刺；电镀：电极引脚无铅镀锡铋；单品切割：产品按正规尺寸切割；检查、编带：进行电气特性检查，在产品表面作标记，并将合格品编带；外观检查：进行外观检查，包装出货。产污环节：切割后对切割刀具及切割碎屑进行清洗，产生清洗废水W1-1；高压气崩片产生热废气G1-1、G1-2；固废主要为切割碎片S1-1、S1-3，废框架S1-2、废包装材料S1-4。一期项目中不包含去毛刺和电镀工段。2.4.2电镀生产工艺和产污环节三期项目生产单体半导体，具体生产工艺与一期生产工艺流程一致，但包括电镀工艺，具体电镀工艺如下：第15页，共82页氢氧化钠树脂纯水氢氧化钠电解去毛刺水洗湿式鼓风水洗S3-7W3-2W3-3S3-10S3-8、S3-9W3-3S3-10纯水硫酸、过氧化氢G3-3纯水纯水纯水水洗道水洗化学研磨水洗道水洗三道水洗W3-4W3-5S3-11W3-6W3-7W3-8电镀液G3-4纯水纯水磷酸三钠纯水前处理电镀锡铋水洗道水洗中和热水洗S3-12S3-13W3-9W3-10S3-14W3-11热风干燥治具剥离进行两次水洗；S3-15图2.4-2电镀工艺流程图工艺流程说明：电解去毛刺：在碱电解液中通入高电流，依靠产生气体的气蚀作用，使树脂毛刺膨胀湿润，最终将其从框架上去除；水洗：用纯水洗净产品，防止碱性液体带入下一工序，采用逆流清洗进行两次水洗；湿式鼓风：用高压水流将颗粒状树脂B-1290喷向产品，以去除引脚或引脚表面的树脂毛刺；水洗：用纯水洗净产品，防止投射材（树脂）进入下一工序，采用逆流清洗，鼓风：吹去溢流口产品上的水滴；电解脱脂：在碱性液体中通入高电流，靠产生气体的气蚀作用，去除附着在产品上的油脂；水洗：用纯水洗净产品，防止碱性液体带入下一工序；化学研磨：用含硫酸、双氧水的蚀刻液去除产品表面的氧化膜，使其表面活性化；水洗：用纯水洗净产品，防止将蚀刻液带入下一工序，共进行三次水洗；前处理：用烷基磺酸溶液覆盖在产品表面，防止镀液中杂质的侵入；第16页，共82页电镀锡铋：在一定的电流条件下，对产品进行电镀锡铋；水洗：用纯水洗净产品，防止将电镀液带入下一工序；中和：用磷酸三钠中和产品表面附着的酸性物质；热水洗：采用蒸汽加热，用70℃的热水清洗产品，促进产品干燥效果；热风干燥：将产品表面吹干，防止表面灰尘；治具剥离：剥离从治具里析出的锡。三期项目产污情况如下：切割后对切割刀具及切割碎屑进行清洗，产生清洗废水W3-1；高压气崩片、树脂封止产生热废气G3-1、G3-2；固废主要为切割碎片S3-1，废框架S3-2、S3-4，废树脂S3-3，废胶带S3-5，废包装物S3-6。电镀过程中化学研磨产生酸性废气G3-3，电镀过程中使用PF-05M添加剂产生甲醇G3-4；电镀过程产生的废水主要为：一般清洗水W3-3、W3-5、W3-10、W3-11，碱性水洗废水W3-2、W3-4，酸性水洗废水W3-9，一类污染物废水W3-6、W3-7、W3-8。2.4.3半导体集成电路生产工艺和产污环节五期半导体集成电路生产工艺与一期项目半导体生产工艺类似，半导体集成电路生产即为晶圆切割后封装过程，具体流程如图2.4-3。工艺流程说明：材料购入：购入需要的材料，主要有硅晶圆、框架、银浆、金线、树脂；受入检查工程：为确保购入材料品质，对购入材料进行外观确认；切割工程：将晶圆贴付在芯片UV膜上，通过全封闭切割设备把硅晶圆切割成单个状态芯片（8英寸/12英寸），芯片数量根据日本来料确定，切割过程需使用纯水冲洗，项目使用全自动超声波清洗机对芯片进行冲洗，该过程产生切割废水W1、切割碎片S1。UV照射：在氮气、氢气混合气（N2：H2=91：9）中，通过UV照射灯将UV膜的表面胶固化，使芯片与UV膜的结合度降低，便于贴片时吸取芯片。芯片结合工程：使用全封闭设备在框架小岛点银浆，通过吸嘴将切好的芯片贴付在框架的贴片岛上；该过程在银浆用完或产品切换时需要用酒精清洗点浆针，此时会产生有机废气G1。第17页，共82页金/铜线连接工程：使用引线结合机（UTC1000/2000/3000），通过焊针将（金切割刀、磨刀石、镜面硅片、切割工程-W1、S1线/铜线）使芯片表面电极和框架引脚连接起来，完成导电。硅晶圆、框架、银浆、金线、材料购入树脂受入检查工程G1UV照射工程芯片结合工程…一用精将供点针注：在银浆用完或产品切换时框架、点浆针、顶针、吸嘴、银浆金线、铜线、框一金铜线连接工程----注：在此工程时发有用来装产品的料架和托盘有脏污时，需清模条、润模条、树—封止工程S2硬化工程切筋工程纯水一水洗一W2↓印字工程切框工程S3电气特性检查图2.4-3半导体集成电路生产工艺流程图自动外观检查目视外观检查干燥剂、铝一捆包包装出货封止工程：通过全封闭设备金型加热，通过注射杆将树脂注入型腔内，再通过高温成型，变成固态，从而防止外界环境对金线及芯片的影响。该过程温度控制在175±5℃；此过程会产生废树脂S2。硬化工程：封止后的产品通过温度循环来进行树脂硬化。切筋工程：将产品放入全封闭设备内、使用对应型号模具、将产品引脚间的连筋，按制品加工图的要求进行割除。水洗：将产品投入高压水洗机内、利用高压纯水清洗产品表面的杂质；该过第18页，共82页程产生清洗废水W2；纯水清洗后再利用高温加热将产品表面水份烘干。印字工程：利用激光在产品树脂表面的指定位置刻印ID号码；该过程无粉尘产生。切框工程：将产品投入全封闭设备内使用对应型号模具采用冷冲形式将产品按制品加工图的要求进行成形并形成单品，分离后的单品放置到托盘内，此过程会产生废框架S3。电气特性检查工程：使用全封闭设备机械手和测试机，对产品的电气特性全数测试，检出前面工程的不良品。自动外观检查：通过全封闭外观检查机检查制品外观是否有划伤、破损、裂缝等外观异常，同时对引脚尺寸进行测量，将不良品取出。目视外观检查：通过放大镜对产品进行目视检查制品外观是否有划伤、破损、引脚等外观异常，将不良品去除。捆包入库：将检查合格的产品，按照客户需要的包装规格与数量进行铝袋抽真空包装，然后入完成品仓库待售。包装出货：将产品包装到纸箱内，出货。产污环节：五期项目生产过程中无工艺废气产生，废气主要为点浆针清洗、擦拭托盘、料架等使用的无水酒精挥发产生的有机废气；切割、水洗产生废水；固废主要为切割碎片，废框架、废树脂、废银浆、废清洗液、废抹布、废包装材料、不良品等。2.4.4二极管生产工艺和产污环节五期项目二极管生产工艺与现有项目半导体生产工艺类似，二极管生产用的晶圆盘为已封装芯片，具体流程如图2.4-4。工艺流程说明：材料购入：购入需要的主材料：晶圆盘（芯片）、基带、封带、卷盘等。受入检查：为确保购入材料品质，对购入材料进行外观确认。切割工程：通过切割设备把晶圆盘（芯片）切割成单个状态芯片，切割过程需使用纯水冲洗，该过程产生切割废水W1、切割碎片S1。UV照射工程：在氮气、氢气混合气（N2：H2=91：9）中，通过UV照射灯第19页，共82页产生的光能量，将UV膜的胶粘性降低，使芯片与UV膜的结合度降低。硅晶圆（芯片）、基带材料购入封带、卷盘受入检查切割刀、磨刀石、纯水切割工程W1、S1UV照射（MAP修正）F检工程（特性检查）基带、封带、卷盘编带（芯片印字编UV膜倒膜（目视外观确认）编带外观检查入库图2.4-4二极管生产工艺流程图包装出荷编带工程：将特性检查后的良品进行印字，编入编带中，设备同时进行外观不良识别并取出替补（外观不良：划伤、印字不良、破损等）。倒膜：编带生产完了的空晶圆盘，外观确认后，使用UV膜进行倒膜。编带外观：编成卷盘的芯片进行外观检查，检查制品是否有划伤、AG颗粒、印字密番、异物、镀金不均等。入库：卷盘制品CIM输入，送往完成品仓库包装出荷：将完成的卷盘产品5卷入1小箱，6小箱入1大箱进行包装入库待售。第20页，共82页产污环节：项目生产过程无废气产生，切割过程产生废水，固废主要为废包装料及不良品。2.4.5低温自动浓缩设备工艺低温自动浓缩设备工艺流程图见下图2.4-5。酸系废液碱系废液酸系储罐碱系储罐浓缩液浓缩液槽委外处理1体化过滤设备酸碱废液收集槽低温浓缩蒸发器冷凝水砂滤炭滤MF滤UF滤反渗透出水回用于生产线浓水图2.4-5工艺流程图酸系、碱系废液经中和反应成盐后，经JVC-200型自动低温浓缩设备进行蒸发浓缩，蒸发器中蒸汽再与冷却循环水进行间接冷凝。本项目技改前酸碱废液965.1t/a（900m3/a），含水量900t/a，按设备供应商提供JVC-200型低温浓缩设备小试结果数据以及该设备应用于类似行业资料，该设备的浓缩倍数约10倍，则浓缩后废液量为155.1t/a，冷凝水产生量为810t/a。本项目的JVC-200型低温浓缩设备是由苏州乔发蒸发器制造有限公司研制的苏州乔发蒸发器制造有限公司是一家集设计制造安装调试于一体的专业蒸发器制造有限公司。JVC-200型低温浓缩设备是集蒸发器、冷凝器及水源热泵机组为一体的多功能装置，可浓缩处理各种容量大小不一的废液废水，其沸点范围：12~60℃，设酸系废液冷凝水碱系废液回用于生产线酸碱废液收集槽低温浓缩蒸发器浓缩液槽委外处理砂滤反渗透浓缩液出水浓水炭滤MF滤UF滤一体化过滤设备酸系储罐碱系储罐设备的浓缩倍数约10-15倍。第21页，共82页项目冷凝水（810t/a）经一体化过滤设备（砂滤+炭滤+MF过滤+UF膜过滤）与反渗透处理，约有40%反渗透浓水返回低温浓缩设备继续进行浓缩处理，清水全部回用于生产线。项目生产过程中无废气排放，产生的浓缩废液约155.1t/a，作为危废（表面处理废液）委托有资质单位处置。2.4.6扩建项目单体半导体和半导体集成电路生产工艺流程（1）单体半导体生产工艺流程图2.4-6单体半导体工艺流程图及产污环节工艺说明：材料购入：购入需要的主材料芯片、基带、封带、卷盘、银浆、基板等；受入检查：对入库的半导体材料的品种、质量等进行检查；贴膜：真空条件下，在UV膜上贴上半导体芯片，将膜剪切成圆弧形，外侧部分废弃，此工序产生S1废膜；切割工程：通过切割设备把芯片切割成单个状态芯片，在切割设备内置的清洗系统添加纯水和切割药液，在切割的过程中，同时对芯片进行喷射清洗，此工序会产生S2切割碎屑和W1切割废水。但由于切割碎屑粒径极小，在喷射清洗时，会被切割废水带走一起进入厂区综合污水处理站，经过处理后，S2切割碎第22页，共82页屑最终并入污水站污泥；UV照射：在氮气、氢气混合气（N2∶H2=91∶9）中，根据UV照射灯，将底座和UV纸之间的粘贴强度调到适合的弱度，使用氮气的目的是作为保护气，防止表面热氧化；氢气作为还原剂阻止可能发生的氧化反应；框架成型：通过模具将框架引脚部分成型，引脚部分成型的同时切定册；激光印字、切割整列：利用激光将产品密番刻印在制品上，使用对应型号模具将框架放入全封闭设备内，进行单品分离，将单品状态下框架按照一列一列的顺序贴到基板上固定位置；银浆涂布：利用银浆机将银浆按照规定的吐出方式涂布在基板的框架表面；DB工程：通过吸嘴将切好的芯片贴付在框架的贴片岛上，银浆用完或产品切换的时候，需要对点浆针进行清洗。清洗过程依托现有项目已投产已验收的全自动清洗机，使用酒精作为清洗剂，将点浆针置于清洗机槽内进行浸泡清洗，清洗过程会产生G1有机废气；银浆硬化：产品通过温度循环来进行银浆硬化；F检检查：使用全封闭设备测试机，对产品的电气特性全数测试，检出前面工程的不良品，外观摄像机检查制品外观是否有划伤、破损、裂缝等外观异常。此工序产生S3不合格品；出荷检查：通过显微镜对产品进行目视检查制品外观是否有划伤、破损、引脚等外观异常，将不良品去除，良品包装出货。此工序产生S4不合格品。（2）半导体集成电路生产工艺流程工艺说明：材料购入：购入需要的材料，主要有芯片、框架、银浆、金线、树脂，BG膜、DS膜、切割刀片、研磨板等；受入检查：为确保购入材料品质，对购入材料进行外观确认；背面研磨：将芯片厚度研磨至制定厚度。此工序产生W2研磨废水；切割：将芯片贴付在芯片UV膜上，通过全封闭切割设备把芯片切割成单个状态芯片（8英寸/12英寸），在切割设备内置的清洗系统添加纯水和切割药液，在切割的过程中，同时对芯片进行喷射清洗，此工序会产生S5切割碎屑和W2切割废水。但由于切割碎屑粒径极小，在喷射清洗时，会被切割废水带走一起进第23页，共82页入厂区综合污水处理站，经过处理后，S5切割碎屑最终并入污水站污泥；芯片、框架、银浆材料购入金线、树脂UV膜、切割刀片受入检查BG膜、研磨板贴膜BG膜、芯片W2研磨废水磨轮、切割刀、S5切削碎屑切割氮气UV照射芯片结合清洗固化G2有机废气连接金线、铜线、框架清模模条、润模模条封止S6废塑封料清模料、润模料、塑封料硬化水洗电镀（外包）印字切框S7废框架检查S8不合格品干燥剂、铝带捆包、包装出货图2.4-7半导体集成电路工艺流程图及产污环节UV照射：在氮气、氢气混合气（N2∶H2=91∶9）中，通过UV照射灯将纯水、切割药液W3切割废水UV膜的表面胶固化，使芯片与UV膜的结合度降低，便于贴片时吸取芯片；芯片结合工程：使用全封闭设备在框架小岛点银浆，通过吸嘴将切好的芯片贴付在框架的贴片岛上，银浆用完或产品切换的时候，需要对点浆针进行清洗。清洗过程依托现有项目已投产已验收的全自动清洗机，使用酒精作为清洗剂，将点浆针置于清洗机槽内进行浸泡清洗，清洗过程会产生G2有机废气；无水乙醇固化：将液态的Ag浆通过加热达到固定芯片的作用；氢气连接：使用引线结合机（UTC1000/2000/3000），通过焊针将（金线/铜线）使芯片表面电极和框架引脚连接起来，完成导电；封止工程：通过全封闭设备金型加热，通过注射杆将塑封料、清模模条、清模模条、润模模条、润模料注入型腔内，再通过高温熔融成型，变成固态，从而第24页，共82页防止外界环境对金线及芯片的影响。该过程温度控制在175±5℃；此工序产生S6废塑封料；硬化工程：封止后的产品通过温度循环来进行树脂硬化；切筋工程：将产品放入全封闭设备内、使用对应型号模具、将产品引脚间的连筋，按制品加工图的要求进行割除；电镀（外包）：将外引脚镀上纯Sn，此工序委外实施；印字切框：利用激光在产品树脂表面的指定位置刻印ID号码，将产品投入全封闭设备内使用对应型号模具采用冷冲形式将产品按制品加工图的要求进行成形并形成单品，分离后的单品放置到托盘内，此工序产生S7废框架；检查：包括电气特性检查工程、自动外观检查和目视外观检查。此工序产生S8不合格品；（1）电气特性检查工程：使用全封闭设备机械手和测试机，对产品的电气特性全数测试，检出前面工程的不良品及特性不良品；（2）自动外观检查：通过全封闭外观检查机检查制品外观是否有划伤、破损、裂缝等外观异常，同时对引脚尺寸进行测量，将不良品取出；（3）目视外观检查：通过放大镜对产品进行目视检查制品外观是否有划伤、破损、引脚等外观异常，将不良品去除；捆包入库：将检查合格的产品，按照客户需要的包装规格与数量进行铝袋抽真空包装，将产品包装到纸箱内，出荷。2.5涉及的有毒有害物质《工矿用地土壤环境管理办法（试行）》中明确“有毒有害物质”指下列物质：（1）列入《中华人民共和国水污染防治法》规定的有毒有害水污染物名录的污染物；（2）列入《中华人民共和国大气污染防治法》规定的有毒有害大气污染物名录的污染物；（3）《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》规定的危险废物；（4）国家和地方建设用地土壤污染风险管控标准管控的污染物；（5）列入优先控制化学品名录内的物质；第25页，共82页（6）其他根据国家法律有关规定应当纳入有毒有害物质管理的物质。本项目涉及的有毒有害物质详见下表2.5-1。表2.5-1有毒有害物质清单识别表序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注产品1单体半导体1248百万个/2系统LSI3单体半导体6456百万个/4LED3480百万个5半导体集成电路140百万个/6二极管366百万个/7单体半导体和系统LSI5.52千万个8半导体集成电路3千万个原辅料（kg/a）1芯片Si40492引脚框架Cu/Ni/Sn、Ag1835铜、镍、锡、银3基板Au65284固定带/带基板5005Ag银浆皿2686金线1157封止用树脂A聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯72978玻璃金属罩1469电镀液1214610传送带/热压着带1988611塑料卷盘1098012压层板带592213标签50814包装8019/序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注15装箱705216芯片Si44917引脚框架Cu98.41%、Ag0.6%、Sn0.54%、Ni0.45%1835铜、银、锡、镍18基板Si212819固定带/带基板4220银浆Ag80%31银21金线1022封止树脂729723玻璃金属罩14624锡球1200锡25树脂B-12904800/26氢氧化钠14427硫酸600L28过氧化氢240L29磷酸三钠240L30Cu蚀刻液硫酸、双氧水240L/31镀液N-1KS氢氧化钾48032镀液Z-1三乙醇胺144三乙醇胺33镀液PF-ACID烷基磺酸、水138034镀液PF-TIN15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸2160铋35镀液PF-Bi15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸420铋36镀液PF-05M表面活化剂、烷基磺酸、水、甲醇等216L37SPF-03EJ烷基磺酸、水、有机化合物768L38传送带/热压着带1988639塑料卷盘1098040压层板带592241标签50842包装8019序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注43装箱705244芯片3497百万个45基板3497百万个46金线10.3百万米47白浆65.348荧光粉23449树脂181350卷盘1.17百万件51基带15439m52封带30261m53焊针25778件54吸嘴2900件55顶针2784件56MPP-FAD-V3-P-0022436件57检基板10069件58溴丙烷870059丙酮5290丙酮60异丙醇5568异丙醇61硅晶圆*12英寸7000万个62切割刀205F-SE27HECC/10把/盒350把63磨刀石10PCS/盒88个64点浆针1380/5P146个65顶针0.7*15*250UR*10L/60根/盒700根66吸嘴R3-09-E/10PCS/盒4375个67加热条加热器-460-10L0.1131根68橡胶条4990129根69海绵条49900117根70玻璃胶带3毫米*10M12卷71包装束带30*1502771卷序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注72美纹纸胶带18MM*22MM/9MM*22MM175卷/73绑带ReelBand24MM729卷74标签73*42MM*3300PCS292卷/75色带84MM*300M160卷76焊针50PCS/包29167根77清模条SF-2000(210*9*7)(230*9*7)840078润模条W9060328179清模树脂13*2.2、13*2.8、13*3.8、16*7.0、18*9.0291780润模树脂13*3.7、13*5.016.8.0、18*11.587581封装树脂G631:13*3.8、13*4.6、13*4.7230t82插座L256-28*28，L216-24*24，L176-24*242100个83pin针MX-D040-570RRS-01/YPW-7XT03-056C100993根84UV膜ADWILLD-680P270290MM*279MM*500PCS105卷85无水酒精500ML/瓶614kg86金线5000M/卷/19UM/22UM/22.5UM/24.5UM35000km87铜线3000M/1卷/20UM/25UM24792km铜88框架QPDP/QFSM-100HP14(2P)/3200PCS/盒146百万个89托盘24*24*1.42.9百万个90银浆15G/支158银91银浆通针/84根92镜面硅片8英寸48个93托盘盖板无480个94干燥剂DY-OP-BRI-5-P01-3S0.64百万个95铝袋PAL-9+04SPPAL-10-20SPAL-8-20S0.33百万个序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注96卷盘EIAJ-RRM-16CCEIAJ-RRM-24DC6100卷97编带TQFP64-10*10LQFP100-P-1414HQFP-07071500卷98芯片4682.699UV膜391.44100引脚框架Cu、Ni、Pd、Au4365.55164铜、镍、钯101银浆60~90%银粉、10~30%环氧树脂221.916银102上编带（黄宽）94.1386103编带609.875104卷盘304.507105切割刀金刚石13.44106磨刀石0.264107切割药液水溶性高聚物74.4108点浆针0.1536109针筒0.1452110公母配套用垫片0.1494111探针KT-70R(L=20)4536pcs112探针KT-110R(L=30)966pcs113上治具A板1片0.00805114下治具A板1片0.00805115基板Au8656116固定带/带基板542117Ag银浆皿268118金线125119封止用树脂A聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯14594120玻璃金属罩292121电镀液12146序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注122传送带/热压着带39772123塑料卷盘21960124压层板带11844125标签1016126包装16038127装箱14104128锡球1200锡129树脂B-12904800130氢氧化钠144131硫酸600L132过氧化氢240L133磷酸三钠240L134Cu蚀刻液硫酸、双氧水240L135镀液N-1KS氢氧化钾480136镀液Z-1三乙醇胺144三乙醇胺137镀液PF-ACID烷基磺酸、水1380138镀液PF-TIN15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸2160铋139镀液PF-Bi15烷基磺酸铋、水、烷基磺酸420铋140镀液PF-05M表面活化剂、烷基磺酸、水、甲醇等216L141SPF-03EJ烷基磺酸、水、有机化合物768L142BG膜塑料80.89143UV膜D-175*塑料209144磨轮金刚石10145芯片2900万个146框架17750万个147金线37500km148铜线27292km铜149银浆银＞50%、丙烯酸酯低聚物5~10%、丙烯酸酯单体5~10%188银序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注150UV膜塑料69卷151点浆针166pc152顶针750pc153焊针4590pc154切割刀100pc156无水乙醇乙醇690157吸嘴4675pc158塑封料二氧化硅60~90%、环氧树脂5~10%、酚醛树脂1~5%、炭黑0.1~1%255272159清模模条合成橡胶45~55%、硅粉填料15~45%、聚乙烯蜡1~3%、固化剂0.1~2%9774160清模料三聚氰胺甲醛树脂约67.1%、有机粘土约20%、纤维约11%、聚合物约1.9%3380氰化物161润模模条聚氨酯树脂＞89%、正已烷＞9%、二氧化硅（油）＜1%3638162润模料二氧化硅60~80%、环氧树脂11~17%、硬化剂6~10%、催化剂＜1%、炭黑＜0.1%、溴化环氧树脂0.5~4%1106163干燥剂二氧化硅1109164铝袋聚乙烯/铝2495165C3标签62.4166色带8.9167束带聚丙烯3331.7废水（产生量t/a）1水量92.832CODcr56.623SS5.14TP3.55石油类0.002391石油烃（C10-C40）序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注6总镍0.001615镍7总银0.044银8总铜0.118铜9总锡0.118锡废气（产生量t/a）1硫酸雾1.20512甲醇0.513丙酮2.645丙酮4异丙醇2.227异丙醇5非甲烷总烃7.482固危废（2023年度产生量（t/a））1沾染化学品的废弃物2.112沾染化学品的废弃物危险废物2含酸废水33含酸废水3含碱废水2含碱废水4废有机溶剂0.044废有机溶剂5含树脂污泥6.03含树脂污泥6废活性炭5.869废活性炭7硒鼓/墨盒0.1085硒鼓/墨盒8含银废液0.129含银废液9表面处理废液24.4表面处理废液10废铅酸蓄电池0.1废铅酸蓄电池11废铜材（铜、铁）43.5294一般工业固废12不良品1.2581813废铜材（铜）6.273414不良品21.9572115芯片膜0.2927第33页，共82页序号名称主要成分年产量/使用量/产生量/排放量涉及有毒有害物质名称备注16银浆管0.112517手套、抹布、包装包材16.20918废树脂63.49319纸板25.92620塑料3.63921废铁6.79322生活垃圾100/其他////2.6污染防治措施一、废气1、有组织废气①热废气单体半导体等生产线在切割、密封等工序中产生一定量的热废气，主要成分为氮气、氢气等，还含有少量的有机废气，废气通过机械通风设备排风管引至厂房楼顶排放，对环境影响较小，不作定量分析。②电镀废气电镀废气包括酸性废气和和甲醇废气。单体半导体生产过程中电镀的化学研磨、前处理、镀锡等工序均使用硫酸，产生的废气为硫酸雾。车间内在各个镀槽上均安装了封闭式防护盖，废气经排气系统抽至洗涤塔喷淋吸收处理后排放。在镀锡铋工序中使用PF-05M添加剂，其中甲醇含量25%，废气经排气系统抽至酸性废气洗涤塔喷淋吸收处理后排放。以上废气经收集处理后通过1#和2#排气筒排放，共设置两套废气洗涤塔，采用碱液喷淋，硫酸雾和甲醇去除效率分别取80%和60%。③点浆针清洗废气点浆针清洗工段设置在现有B栋车间零部件清洗工段位置，在同一个密闭第34页，共82页空间内进行，清洗时有机溶剂乙醇挥发废气依托现有集气罩收集后通过管道接入现有活性炭吸附装置进行处理，处理后通过B栋3#20m高排气筒排放，未收集废气无组织排放，废气收集效率可达90%。④DB工程及芯片结合工序中清洗点浆针产生的有机废气DB工程及芯片结合工序中乙醇清洗点浆针产生的有机废气经集气罩收集后采用活性炭吸附处理，废气收集效率为90%，设计风量为8000m3/h，处理效率估计为90%，处理达标后依托现有20米高的3#排气筒排放，未收集的有机废气作为无组织排放。2、无组织排放①电镀生产线未收集到的硫酸雾和甲醇作为无组织排放；②点浆针清洗工段未收集到的废气作为无组织排放，按非甲烷总烃计；③托盘、料架擦拭工段在半导体集成电路车间内进行，废气无法进行有效收集，该股废气车间内无组织排放，按非甲烷总烃计；④DB工程及芯片结合工序中清洗点浆针产生的未收集的有机废气，按非甲烷总烃计。第35页，共82页表2.6-1废气来源及处理方式废气来源排气筒编号排气量m3/h污染物名称产生状况治理措施执行标准浓度mg/m3速率kg/h产生量t/a浓度mg/m3速率kg/h电镀废气DA0015000硫酸雾14.290.0710.6025镀槽上方安装封闭式防护盖，经排气系统抽至废气洗涤塔喷淋吸收5甲醇6.070.0300.255501.8DA00210000硫酸雾7.1450.0710.60265甲醇3.0350.0300.255501.8零件清洗废气DA0038000丙酮39.60.3152.645封闭清洗槽+集气罩+活性炭吸附152.4异丙醇33.140.2652.22740非甲烷总烃111.340.8917.48250DB工程及芯片结合工序非甲烷总烃第36页，共82页二、废水华昕科技废水分为生活污水和生产废水两部分。1、生活污水公司员工667人，按每人每天用水200L计，全公司年用水量46690t，排水量按0.8计，则废水年排放量约为37352t。废水经厂内污水管网（与原松下半导体生活污水合并）收集后直接接管苏州枫桥水质净化厂处理。2、生产废水生产废水主要包括清洗废水、一类污染物废水、洗涤塔喷淋废水、切割废水、研磨废水等，废水经收集后进入厂内污水处理站进行处理，处理后接管至苏州枫桥水质净化厂处理。项目废水处理方式见表2.6-2。表2.6-2项目废水来源及处理方式废水种类污染物产生情况废水处理措施排放浓度mg/L执行标准（半导体行业污染物排放标准DB32/3747-2020）浓度mg/L产生量t/a生产废水水量201153.9厂区污水处理站絮凝沉淀+中和处理后，接管至苏州枫桥水质净化厂处理201153.9/CODcr≤50092.83≤250300SS≤30056.62≤150250TP≤55.1≤43石油类≤203.5≤25总镍≤0.10.002391≤0.50.5（车间排口）总银≤0.10.001615≤0.30.3（车间排口）总铜≤0.50.044≤0.50.3总锡≤1.00.118≤1.02三、固废华昕科技产生的固体废物可分为一般固废、危险固废和生活垃圾。一般固废包括：废塑封料、废塑料、废纸板、废铁、工业垃圾、废金属框架、不良品、电子产品（电脑、打印机等）、废设备、废树脂、废膜、其它有价物（芯片膜、锡球、废银浆等）；危险固废包括：沾染化学品的废弃物、废胶水、含酸废水、含碱废水、废有第37页，共82页机溶剂、含树脂污泥、废活性炭、硒鼓/墨盒、废油、含银废硝酸溶液、废灯管、表面处理废液、废铅酸蓄电池、废线路板、切削碎屑；生活垃圾为员工生活办公产生的生活垃圾，依托原松下半导体委托环卫部门定期清运。固废具体产生量见表2.6-3。表2.6-3固废产生情况表名称属性分类编号性状产生量（t/a）（2023年度）处置方式沾染化学品的废弃物危险固废HW49900-041-492.112含酸废水HW34398-005-3433苏州森荣环含碱废水HW35900-352-352保处置有限废有机溶剂HW06900-402-060.044公司、苏州同和资源综含树脂污泥HW13900-016-136.03合利用有限废活性炭HW49900-041-495.869公司、苏州硒鼓/墨盒HW12900-299-120.1085新区环保服含银废液HW34398-005-340.129务中心有限公司表面处理废液HW17336-064-1724.4废铅酸蓄电池HW31900-052-310.1废铜材（铜、铁）一般工业固废43.5294不良品1.25818废铜材（铜）6.2734不良品21.95721芯片膜0.2927银浆管0.1125外售手套、抹布、包装包材16.209废树脂63.493纸板25.926塑料3.639废铁6.793生活垃圾一般固废100环卫部门统一处理第38页，共82页2.7历史土壤和地下水环境监测信息（1）根据《华昕科技（苏州）有限公司土壤和地下水自行监测报告》（2022年）监测结果：土壤监测点结果分析：2022年10月26日共采集土壤样品12个（含1个土壤对照样品）。土壤样品检测项目为重金属（砷、镉、六价铬、铜、铅、汞、镍）、VOCs、SVOCs、pH值、甲醇、异丙醇、丙酮、石油烃、银、丁酮、乙醇。重金属（铜、铅、镍、汞、砷、镉、银）、石油烃（C10-C40）均有检出，其中铜、铅、镍、汞、砷、镉检出率均为100%，石油溶剂检出率为50%，银检出率为25%，铜、铅、镍、汞、砷、镉及石油烃检出值均未超过《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险筛选值。银检出值未超过《深圳市建设用地土壤污染风险筛选值和管制值（试行）》（DB4403/T67-2020）二类用地筛选值。六价铬、挥发性有机物（VOCs）、半挥发性有机物（SVOCs）均未检出，均符合《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险筛选值。pH值、甲醇、丙酮、丁酮、异丙醇、乙醇无评价标准，本次不评价。本地块土壤检测值满足《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险筛选值。地下水监测点结果分析：2022年10月31日、2022年11月12日分别采集监测点位地下水样品6个（含一个对照点）。地下水样品检测项目为：GB/T14848表1常规指标（含特征因子pH值，微生物指标、放射性指标除外）、甲醇、异丙醇、丙酮、石油烃、银、丁酮、乙醇、VOCs、SVOCs。其中2022年10月31日W1、W2监测井为V类水质，Ⅴ类指标为碘化物，2022年11月12日W2监测井为V类水质，Ⅴ类指标为碘化物。第39页，共82页西门松下汽车电子系统（苏州有限公司T1、W1R1T2、W2、R2T5、W5T3、W3、R3T4、W4TOWO、RO建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险a图2.7-12022年自行监测布点图（2）根据《华昕科技（苏州）有限公司土壤和地下水自行监测报告》（2023年）监测结果：土壤监测点监测结论：本地块的调查共布设8个表层土壤监测点（含1个表层土壤对照点），重金属（铜、铅、镍、汞、砷、镉、银、铋）、石油烃（C10-C40）均有检出，检出率均为100%，铜、铅、镍、汞、砷、镉及石油烃（C10-C40）检出值均未超过《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险筛选值。银检出值未超过深圳市地方标准《建设用地土壤污染风险筛选值和管制值（试行）》第二类用地筛选值。六价铬、挥发性有机物（VOCs）、半挥发性有机物（SVOCs）均未检出，均符合《土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行）》（GB36600-2018）第二类用地风险筛选值。铋无评价标准，本次不评价。本地块土壤检测值满足《土壤环境质量筛选值。地下水监测点监测结论：本地块的调查共布设6个地下水监测井（含1个地下水对照采样点）。第一批次地下水W1点位碘化物未检出，W2点位碘化物检出值为0.44mg/L，满足《地下水质量标准》（GB/T14848-2017）中IV类标准值。第二批次地下水共检出23项监测因子，包括pH值、总硬度、高锰酸盐指第40页，共82页数（耗氧量）、溶解性总固体、色度、亚硝酸根（以氮计）、浑浊度、铅、镉、镍、硝酸根（以氮计）、氨氮、石油烃（C10-C40）、硒、锌、铝、锰、铁、钠、氯化物（氯离子）、硫酸盐（硫酸根）、氟化物（氟离子）、挥发酚。其中21项监测因子检测结果满足《地下水质量标准》（GB/T14848-2017）IV类水质标准限值；W4点位锰超出地下水IV类标准限值。石油烃（C10-C40）检测结果均满足《上海市建设用地土壤污染状况调查、风险评估、风险管控与修复方案编制、风险管控与修复效果评估工作的补充规定（试行）》（沪环土〔2020〕62号）标准。第三批次各地下水点位碘化物均未检出。第四批次地下水共检出18项监测因子，包括pH值、总硬度、高锰酸盐指数（耗氧量）、溶解性总固体、色度、氨氮、碘化物、石油烃（C10-C40）、硝酸根（以氮计）、氯化物（氯离子）、硫酸盐（硫酸根）、氟化物（氟离子）、铝、铁、锰、锌、钠、镍。其中16项监测因子检测结果满足《地下水质量标准》（GB/T14848-2017）IV类水质标准限值；W1点位碘化物超出地下水IV类标准限值。石油烃（C10-C40）检测结果均满足《上海市建设用地土壤污染状况调查、风险评估、风险管控与修复方案编制、风险管控与修复效果评估工作的补充规定（试行）》（沪环土〔2020〕62号）标准。综上，第二批次W4点位、第四批次W1点位为V类水质，指标分别为锰和碘化物。地下水历史历史监测结论对比：W1点位的检测结果中，第一次硫酸盐、亚硝酸盐、铅的检出值大于前次检测值30%。W2点位的检测结果中，第一次亚硝酸盐的检出值大于前次检测值30%。W3点位的检测结果中，第一次硫酸盐、亚硝酸盐、石油烃的检出值大于前次检测值30%。W4点位的检测结果中，2023年度硫酸盐、亚硝酸盐的检出值大于前次检测值30%。W5点位的检测结果中，2023年度硫酸盐、亚硝酸盐的检出值大于前次检测值30%。W1点位部分因子历年检测结果为未检出，无法进行趋势分析。监测数据趋第41页，共82页势分析结果表明，企业W1地下水监测井中碘化物、钠、石油烃（C10-C40）总体呈现下降趋势；硫酸盐总体呈现上升趋势。W2点位部分因子历年检测结果为未检出，无法进行趋势分析。监测数据趋势分析结果表明，企业W2地下水监测井中钠、石油烃（C10-C40）呈下降趋势；硫酸盐呈现上升趋势。W3点位部分因子历年检测结果为未检出，无法进行趋势分析。监测数据趋势分析结果表明，企业W3地下水监测井中硫酸盐、钠、石油烃（C10-C40）呈下aa1TGT2/02降趋势。W4点位部分因子历年检测结果为未检出，无法进行趋势分析。监测数据趋势分析结果表明，企业W4地下水监测井中钠、石油烃（C10-C40）呈下降趋势；T3/03硫酸盐呈现上升趋势。W5点位部分因子历年检测结果为未检出，无法进行趋势分析。监测数据趋势分析结果表明，企业W5地下水监测井中钠、石油烃（C10-C40）呈下降趋势；硫酸盐呈现上升趋势。T5/75T4/04TO/00上高米鹿山路商山路图2.7-22023年自行监测布点图第42页，共82页3排查方法3.1资料收集调查工作开始初期、现场采样实施过程汇总，组织调查人员对调查范围内场地及场地周边进行了现场踏勘。踏勘范围以场地内为主，现场踏勘的主要内容包括：场地的现状、场地历史、相邻场地的现状、相邻场地的历史情况、周围区域的现状与历史情况，地质、水文地质、地形的描述，建筑物、构筑物、设施或设备的描述。表3.1-1项目资料收集清单序号名称收集情况1厂区平面布置图、雨污管线分布图、重，点场所或重点设施设备（含地下设施)分布图；2企业生产工艺流程图；3近三年产品产能及原辅料使用情况清单；4排污申报、环境影响报告、清洁生产审核报告、有毒有害物质年度排放报告、排污许可证年度执行报告等资料；5相关设施设备防渗漏、流失、扬散设计和施工资料；6已有的土壤和地下水环境调查监测数据；7已有的隐患排查报告及整改台账；8重点场所或重点设施设备日常维护、检查记录资料。9环境影响评价报告3.2人员访谈访谈内容：包括资料收集和现场踏勘所涉及的疑问，以及信息补充和已有资料的考证。访谈对象：受访者为华昕科技（苏州）有限公司安环管理者。访谈方法：书面调查表方式进行。表3.2-1现场排查人员访谈情况序号访谈内容访谈结果1设施设备运行管理是否有专人负责？是2是否有一般固体废物和危险废物产生？若是，是否专人负责管理台账？是3历史上是否发生过污染泄漏等环境污染事件？若是，发生的具体位置和发生事故的具体时间？否序号访谈内容访谈结果4现场是否有环境应急物资储备？5企业实际的生产工艺流程及产物环节是否与环评资料一致？一致6是否曾开展过土壤隐患排查工作？7是否开展过土壤和地下水自行监测工作？8生产过程中是否有废水排放？若是，现场是否有污水处理工程设备？9物料及产品转运，物料及产品暂存是否有专人负责管理？10是否签署土壤污染防治责任书？11该企业主要涉及的重点区域内容主要包括那些？生产车间、污水站、危化品仓库、危废仓库、一般固废仓库、清洗室等3.3重点场所或者重点设施设备确定依据《重点监管单位土壤污染隐患排查指南（试行）》，根据各区域及设施信息、污染物及其迁移途径等，识别企业内部存在土壤或地下水污染隐患的重点设施。识别过程需关注下列设施：a）涉及有毒有害物质的生产设施；b）涉及有毒有害物质的原辅材料、产品、固体废物等的堆存、储放、转运设施；c）贮存或运输有毒有害物质的各类罐槽、管线；d）三废（废气、废水、固体废物）处理处置或排放区；e）其他涉及有毒有害物质的设施。根据收集的资料以及现场踏勘和人员访谈，了解到华昕科技（苏州）有限公司的生产历史、平面布置、原辅材料使用、生产工艺及产污及三废排放等情况。通过对该厂生产、产污、污染处置等情况，分析识别出该厂土壤污染隐患重点场所和重点设施设备，详见下表3.3-1。第44页，共82页表3.3-1重点场所和重点设施设备清单识别表序号涉及工业活动重点场所和重点设施设备重点场所和重点设施设备类型场所或设施设备所在位置场所或设施设备规格/型号/结构涉及有毒有害物质1污水处理污水站污水处理池液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49266636,31.32648564环氧地坪、围堰、导流沟，351m2铋、异丙醇、锡、银、丙酮、2-丁酮、氰化物、石油烃（C10-C40）、铜、铅、镍2危化品暂存危化品仓库液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49272537,31.32577537环氧地坪、托盘、导流沟、应急池铋、铜、丙酮3产品暂存产品仓库液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49198508,31.32743877地面硬化/序号涉及工业活动重点场所和重点设施设备重点场所和重点设施设备类型场所或设施设备所在位置场所或设施设备规格/型号/结构涉及有毒有害物质4生产电镀车间液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49147546,31.32605948环氧地坪、托盘、导流沟铋、异丙醇、锡、银、丙酮、2-丁酮、氰化物、石油烃（C10-C40）、铜、铅、镍5危废暂存危废仓库液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49251616,31.32573413环氧地坪、托盘、导流沟、应急池铋、异丙醇、锡、银、丙酮、2-丁酮、氰化物、石油烃（C10-C40）、铜、铅、镍、沾染化学品的废弃物、含酸废水、含碱废水、废有机溶剂、含树脂污泥、废活性炭、硒鼓/墨盒、含银废液、表面处理废液、废铅酸蓄电池6一般固废暂存一般固废仓库液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区120.49243838,31.32571580环氧地坪/序号涉及工业活动重点场所和重点设施设备重点场所和重点设施设备类型场所或设施设备所在位置场所或设施设备规格/型号/结构涉及有毒有害物质6一般固废暂存一般固废仓库固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49243838,31.32571580环氧地坪/7废水排水废水排水系统液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49297482,31.32566768//8事故池事故池液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区污水处理池旁、化学品仓库旁、废水加药处、电镀废液抽取旁污水处理池：351m3、消防事故应急池182m3、化学品仓库应急池6m3、废水加药处应急池6.27m3、电镀废液抽取应急池6m3。铋、异丙醇、锡、银、丙酮、2-丁酮、氰化物、石油烃（C10-C40）、铜、铅、镍9分析化验分析化验室液体储存散装液体转运与厂内运输货物的储存和运输生产区固废贮存区废水排水系统其他活动区120.49107850,31.32583494地面硬化/第47页，共82页
投标 / 标书制作要点（原创）
本土壤地下水自行监测涉及「招标采购公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标采购公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。
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