北京40 工艺制备存算一体芯片 器件工艺制备存算一体芯片招标公告（北京航空航天大学合肥创新研究院2024）
【公告中】基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片（2次）竞争性磋商公告
基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片（2次）竞争性磋商公告
项目概况
基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片（2次）采购项目的潜在供应商应在安徽公共资源交易集团电子交易系统或安徽合肥公共资源交易电子服务系统获取采购文件，并于2024年02月21日10点00分前提交（上传）响应文件。
一、项目基本情况
项目编号：2024BTFFN00244
项目名称：基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片（2次）
采购方式：竞争性磋商
预算金额：95万元
最高限价：无
采购需求：基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片（2次）服务，详见磋商文件
合同履行期限：2024年3月1日-2024年7月31日
本项目是否接受联合体:否
二、申请人的资格要求
1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无; 3.本项目的特定资格要求：无。
三、获取采购文件
1.时间:2024年02月06日00:00至2024年02月18日23:59
2.地点：安徽公共资源交易集团电子交易系统或安徽合肥公共资源交易电子服务系统
3.方式：（1）供应商须登录安徽公共资源交易集团电子交易系统或安徽合肥公共资源交易电子服务系统（电子服务系统）查阅采购文件。首次登录须持有电子服务系统兼容的数字证书，详情参见电子服务系统办事指南。 （2）采购文件获取过程中有任何疑问，请在工作时间（9：00-17：30，节假日休息）拨打技术支持热线（非项目咨询）：4009980000。项目咨询请拨打电话：0551-66223645。 （3）供应商可通过安徽公共资源交易集团电子交易系统或安徽合肥公共资源交易电子服务系统查阅采购文件，如参与投标，则还须按本条第1款规定的采购文件获取时间内支付招标文件费用，逾期系统自动关闭。 （4）采购文件费用支付方式：采购文件费用采用网上支付。
4.采购文件价格：每套人民币200元整，采购文件售后不退
四、响应文件提交
1.提交（上传）响应文件截止时间（开标时间）：2024年02月21日10点00分
2.提交（上传）响应文件地点（开标地点）：合肥市滨湖新区徽州大道4872号金融港中心A9幢安徽公共资源交易集团二楼评标室（五）
五、开启
时间：2024年02月21日10点00分
地点：合肥市滨湖新区徽州大道4872号金融港中心A9幢安徽公共资源交易集团二楼评标室（五）
六、公告期限
自本公告发布之日起3个工作日。
七、其他补充事宜
1.本项目落实节能环保、中小微型企业扶持等相关政府采购政策。 2.本次公告在安徽公共资源交易集团网站发布。 3.供应商应合理安排采购文件获取时间，特别是网络速度慢的地区防止在系统关闭前网络拥堵无法操作。如果因计算机及网络故障造成无法完成采购文件获取，责任自负。 4.本项目实施全流程电子化交易，响应文件实施网上远程解密，供应商无需前往磋商现场。
八、凡对本次采购提出询问，请按以下方式联系
1.采购人信息
名称：北京航空航天大学合肥创新研究院
地址：合肥市瑶海区魏武路999号
联系方式：0551-69110088
2.采购代理机构信息
名称：安徽公共资源交易集团项目管理有限公司
地址：合肥市滨湖新区南京路2588号（徽州大道与南京路交口）六楼
联系方式：0551-66223923
3.项目联系方式
项目联系人：李工
电话：0551-66223922
九、保证金账户
标段简称:第1包
户名： 安徽公共资源交易集团项目管理有限公司
账号： 76700188014593547
开户银行： 光大银行合肥阜南路支行
户名： 安徽公共资源交易集团项目管理有限公司
账号： 1023701021000135582271969
开户银行： 徽商银行合肥蜀山支行
户名： 安徽公共资源交易集团项目管理有限公司
账号： 6232811630000520433
开户银行： 建行合肥庐阳支行营业部
附件：采购需求.docx
采购需求（仅供参考，具体以竞争性磋商文件为准）前注：本说明中提出的技术方案仅为参考，如无明确限制，供应商可以进行优化，提供满足用户实际需要的更优（或者性能实质上不低于的）服务方案，且此方案须经磋商小组评审认可。一、采购需求前附表序号条款名称内容、说明与要求1付款方式合同签订后预付合同金额65%，验收合格后一次性支付剩余合同金额2服务地点合肥市，采购人指定地点3服务期限2024年3月1日-2024年7月31日4本项目采购标的名称及所属行业标的名称：基于40nm CMOS 器件工艺制备存算一体芯片所属行业：其他未列明行业二、项目概况智能大模型的迅猛发展开启了智能化革命的序幕。芯片作为大模型智能加速发展的基石，其性能决定了智能大模型发展水平。存算一体技术克服了冯·诺依曼架构存算分离问题，极大提高了芯片性能，为我国开展独立自主智能大模型应用芯片研制提供了新技术路线。开展高性能存算一体芯片研究，提高计算能效和算力，对人工智能的发展及应用具有重要意义，同时具有巨大的市场应用前景。本项目基于SRAM开展高性能存算一体芯片研究，通过异构集成实现神经网络运算，并进行流片验证与性能测试。三、服务需求1.流片工艺信息：1.金属层数：不小于9层金属；2.CMOS工艺尺寸：40nm。2.芯片设计指标：1.芯片类型：静态随机存储器SRAM；2.单颗芯片裸片面积小于3mm×3mm;3.芯片颗数：100颗；4.实现方式：MPW。3.服务内容：1.提供完整流片服务；2.提供全套芯片设计环境；3.提供支持协同开发的高性能云平台，且具有平台管理能力，包括但不限于质量、信息安全；4.提供数模混合后端设计服务；5.提供最终GDS版图LVS、DRC、PEX及验证等服务。四、报价要求本项目报总价，报价包含完成本项目所需一切费用，采购人后期不再另行追加费用。
投标 / 标书制作要点（原创）
本40 工艺制备存算一体芯片 器件工艺制备存算一体芯片涉及「招标公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。北京项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。
标书制作联系冯经理：17551026086
