4寸D-mode硅基氮化镓外延片 4寸D-mode外延片招标公告（华南理工大学2024）
4寸D-mode硅基氮化镓外延片（SCUT-HW-JJ20240519号）采购公告
项目名称
4寸D-mode硅基氮化镓外延片
项目编号
SCUT-HW-JJ20240519号
公示开始日期
2024-11-28 11:24:01
公示截止日期
2024-12-02 12:00:00
采购单位
华南理工大学
付款方式
验收合格后双方签字盖章，凭发票 30 天内一次性付清。
联系人
中标后在我参与的项目中查看
联系电话
中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求
成交后3工作日
到货时间要求
签约后20工作日
预算
￥199,900
供应商资质要求
满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定
收货地址
广州市天河区五山路381号华南理工大学五山校区
采购清单
1
采购物品
采购数量
计量单位
所属分类
4寸D-mode外延片
5
个
矿物材料制品
品牌
Enkris Semiconductor
规格型号
4寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
技术参数
外延叠层：氮化镓（GaN）厚度2nm；氮化镓铝（Al0.25GaN）厚度23nm；氮化铝（AlN）厚度0.8nm；绝缘氮化镓（iGaN） 厚度约530nm；缓冲层厚度1~1.5um；高阻硅衬底
售后服务
服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购清单
2
采购物品
采购数量
计量单位
所属分类
6寸D-mode外延片
5
个
矿物材料制品
品牌
Enkris Semiconductor
规格型号
6寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
技术参数
外延叠层：氮化镓（GaN）厚度2nm；氮化镓铝（Al0.25GaN）厚度23nm；氮化铝（AlN）厚度0.8nm；绝缘氮化镓（iGaN） 厚度约530nm；缓冲层厚度1~1.5um；高阻硅衬底
售后服务
服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购清单
3
采购物品
采购数量
计量单位
所属分类
6寸E-mode外延片
3
个
矿物材料制品
品牌
Enkris Semiconductor
规格型号
6寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
技术参数
外延叠层：p型氮化镓（pGaN）厚度80nm；氮化镓铝（Al0.22GaN）厚度15nm；绝缘氮化镓（iGaN）厚度约200nm；缓冲层厚度1~1.5um；高阻硅衬底
售后服务
服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购清单
4
采购物品
采购数量
计量单位
所属分类
4寸E-mode外延片
3
个
矿物材料制品
品牌
Enkris Semiconductor
规格型号
4寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
技术参数
外延叠层：p型氮化镓（pGaN）厚度80nm；氮化镓铝（Al0.22GaN）厚度15nm；绝缘氮化镓（iGaN）厚度约200nm；缓冲层厚度1~1.5um；高阻硅衬底
售后服务
服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
华南理工大学
2024-11-28 11:24:01
投标 / 标书制作要点（原创）
本4寸D-mode硅基氮化镓外延片 4寸D-mode外延片涉及「招标公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。
标书制作联系冯经理：17551026086
