N沟道场效应晶体管招标公告（中国空空导弹研究院2025）

N沟道场效应晶体管
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需求量:
2.0个
规格描述:
型号/件号:漏-源击穿电压：60V；漏极直流电流：100A；栅极阀值电压(V)：2~4；导通电阻：0.05Ω；栅极-源极电压(V)：±20；封装尺寸：6.15mm×5.4mm×1.3mm；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：否；备注：

发布企业:
中国空空导弹研究院
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需求发布时间
2025-11-24 09:54

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投标 / 标书制作要点（原创）

本N沟道场效应晶体管涉及「招标公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。

标书制作联系冯经理：17551026086