分立器件检测仪招标公告（西安电子工程研究所2026）
基本信息
发布单位:西安电子工程研究所
最终单位:西安电子工程研究所
参与方式:公开询价
出价方式:一次性出价
付款方式:验收合格后6个月结清
保证金:0.0元
联系人:王健
联系方式:13087561787
分立器件检测仪技术要求.docx
采购明细
序号
商品名称
品类
采购数量
最少响应量
规格
1
分立器件检测仪技术要求
专用设备及配件>其他专用设备
1.0套
1.0套
2026-03-30；
可报价时间
开始时间 2026-01-21 12:00:00
结束时间 2026-01-23 12:00:00
分立器件检测仪技术要求1基本要求用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、可控硅、光耦、IGBT、整流桥、多阵列器件等各类分立器件的功能和直流参数测试。投标人提供的产品须为国内先进品牌，具有良好稳定的性能。2设备技术指标要求2.1总体要求2.1.1微计算机控制测试；2.1.2方便灵活的测试程序编程和调试，面向器件的编程方式，具备填表式编程，能离线进行测试程序开发；2.1.3采用测试机柜+测试头构架，机柜内资源采用板卡式设计，便于更换维护，测试头可放置于桌面，便于操作使用；2.1.4具备友好的人机界面，软件须能对用户输入的数据进行超限检查；2.1.5功率参数须严格按照300us测试方法及相关国家军用标准规定，并具备软硬件钳位保护，确保测试安全可靠；2.1.6具备二极管自动识别极性功能，支持不低于8个单元的二极管、三极管阵列的测试；2.1.7具备双极型三极管及绝缘栅型场效应管输出特性曲线的测量显示功能；2.1.8具备功率参数测试及测试条件的电压/电流波形显示功能，可观察脉冲测试的电压和电流波形，判别测试过程是否稳定，测试条件是否符合要求，有效甄别异常测试状态；2.1.9测试端至少支持适配器直插和测试母板+适配器直插两种方式，可以满足常见的分立器件直流参数测试和多阵列器件直流参数测试。2.2主要配置2.2.1计算机配置要求：应配备Win7及以上操作系统，24吋显示器；2.2.2至少包含25种不同封装适配器（包括但不限于TO-3封装、TO-220/3P封装、TO-92封装、TO-39封装、轴向二极管封装）；2.2.3至少包含3类基础测试资源板卡（包括但不限于高压电压电流源板、大电流扩流板、功率电压电流源板卡）。2.2.4至少包含1种测试母板（包括但不限于阵列类分立器件类别板）；2.2.5包含测试头1套；2.2.6包含校准板或校准盒1套。2.3技术指标2.3.1功率电压电流源板卡：1）ce&be源输出指标要求；具备至少6个量程档位，最大电压范围至少覆盖±40V，最大电流范围至少覆盖±40A；2）ce&be源测量指标要求：具备至少7个量程档位，最小电压量程应满足±1V，最小电流量程应满足±4uA；3）ce&be源电压精度指标要求：在±40V量程档位时，精度≤±0.05%，在±1V量程档位时，精度≤±0.1%；4）ce&be源电流精度指标要求：在±40A量程档位时，精度≤±1%，在±4uA量程档位时，精度≤±0.5%；5）g源输出及精度要求：最大电压范围覆盖±40V，精度≤±0.05%。2.3.2高压电压电流源板：1）输出指标要求；具备至少5个量程档位，最大电压范围至少覆盖±2000V，最大电流范围至少覆盖±10mA；2）测量指标要求：具备至少5个量程档位，最小电压量程应满足±100V，最小电流量程应满足±10uA；3）电压精度指标要求：在±2000V量程档位时，精度≤±0.05%，在±100V量程档位时，精度≤±0.05%；4）电流精度指标要求：在±10mA量程档位时，精度≤±0.1%，在±10uA量程档位时，精度≤±0.1%。2.3.3大电流扩流板：1）输出/测量指标要求：最大电流范围覆盖±200A；2）精度指标要求：在±200A量程档位时，精度≤±1%。2.4测试类型及参数范围二极管参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围正向直流电压 Vf0-20VIf电流范围：0-200A反向漏电流 Ir0-10mAVr电压范围：0-2000V反向电流 HIr0-400mAVr电压范围：0-40V反向击穿电压 Vr0-2000VIr电流范围：0-10mA反向齐纳电压 Vz0-80VIz电流范围：0-40A反向齐纳阻抗 RzRz=△Vz/△IzVz电压测量范围：0-40V Iz电流范围：0-1A三极管参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围集电极-发射极截止电流Iceo、Ices、Icer、Icex0-10mAVce电压范围：0-2000V集电极-基极截止电流 Icbo、Icbs0-10mAVcb电压范围：0-2000V发射极-基极截止电流 Iebo0-10mAVeb电压范围：0-2000V集电极-发射极击穿电压BVceo、BVces、BVcer、BVcex0-1000VIce电流范围：0-10mA集电极-基极击穿电压BVcbo、BVcbs0-2000VIcb电流范围：0-10mA发射极-基极击穿电压 BVebo0-2000VIeb电流范围：0-10mA集电极-发射极饱和电压 Vcesat0-40VIb电流范围：0-40AIc电流范围：0-40A基极-发射极饱和电压 Vbesat0-40VIb电流范围：0-40AIc电流范围：0-40A放大倍数HFEHFE=Ic/IbIb测量范围：0-40AVce电压范围：0-40VIc电流范围：0-200AMOSFET参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围栅源阈值电压 VGSth0-40VId电流范围：0-400mA栅源漏电流 Igssr、Igssf0-10mA电压范围：0-40V漏极电流 Idon0-200AVds电压范围：0-40VVgs电压范围：0-20V漏源通态电阻 RdsonRdson=Vds/IdsVds测量范围：0-10V电流范围：0-200AVgs电压范围：0-20V漏源通态电压Vdon0-10VId电流范围：0-200AVgs电压范围：0-20V二极管正向压降 Vfsd0-40VIsd电流范围：0-200A漏源漏电流 Idss0-10mA电压范围：0-2000V漏源击穿电压 BVdss0-2000V电流范围：0-10mA正向传输比GFSGFS=△Ids/△VdsVgs测量范围：0-20V电压范围:0-50V电流范围：0-200A漏源击穿电压差DeltaBVdss△BVdss= BVdss1-BVdss2BVdss测量范围：0-2000VIds电流范围：0-10mA漏源击穿电压变化率DIVIDDIVID=△BVdss/BVdss1BVdss测量范围：0-2000VIds电流范围：0-10mA栅源阈值电压差DeltaVgsth△Vth=Vth1-Vth2Vth测量范围：0-40VId电流范围：0-400mA可控硅参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围控制极触发电流 Igt0-400mA阳极电流范围：0-200A阳极电压范围：0-40V控制极触发电压 Vgt0-40V阳极电流范围：0-200A阳极电压范围：0-40V通态直流电压Vt0-40V阳极电流范围：0-200A控制端电流范围：0-400mA断态电流 Id0-10mA阳极电压范围：0-2000V开路断态电流 Ido（控制极开路）0-10mA阳极电压范围：0-2000V反向电流 Ir0-10mA阳极反向电压范围：0-2000V开路反向电流 Ir0-10mA阳极反向电压范围：0-2000V断态电压 Vd0-2000V阳极电流范围：0-10mA开路断态电压 Vdo （控制极开路）0-2000V阳极电流范围：0-10mA反向电压 Vr0-2000V阳极反向电流范围：0-10mA开路反向电压 Vro （控制极开路）0-2000V阳极电流范围：0-10mA维持电流 Ih0-400mA阳极电压范围：0-40V控制端电流范围：0-400mA擎住电流 Il0-400mA阳极电压范围：0-40V控制端电流范围：0-400mA光电耦合器参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围正向压降 Vf0-20VIf电流范围：0-400mA正向电流 If0-400mAVf电压范围：0-20V反向击穿电压 Vr_lv (使用低压源测试)0-40VIr电流范围：0-400mA反向电流 Ir_lv （使用低压源测试）0-400mAVr电压范围：0-40V反向击穿电压 Vr0-1000VIr电流范围：0-10mA反向电流 Ir0-10mAVr电压范围：0-1000V集电极-发射极击穿电压BVceo0-1000VIce电流范围：0-10mA发射极-集电极击穿电压BVeco0-1000VIec电流范围：0-10mA反向截止电流 Iceo0-10mA电压范围：0-1000V集电极-发射极饱和压降 Vcesat0-20VIce电流范围：0-400mA If 电流范围:0-400mA电流传输比ctrCtr=Ice/If Ice测量范围：0-400mAVce电压范围：0-20V If 电流范围:0-400mA高速光耦参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围正向直流电压 Vf0-40VIf电流范围：0-400mA反向击穿电压 BVr0-40VIr电流范围：0-400mA反向电流 Ir0-400mAVr电压范围：0-40V输出低电平时电源电流 Iccl 输出高电平时电源电流 Icch0-400mAVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V If电流范围：0-400mA使能端低电平电流 Iel 使能端高电平电流 Ieh0-400mAVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V使能端高电平电压 Veh 使能端低电平电压 Vel0-40VVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V 输出端电流范围；0-400mA If电流范围：0-400mA输出端高电平电流 Ioh 输出端低电平电流 Iol0-400mAVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V 输出端电压范围；0-40V If电流范围：0-400mA输出端低电平电压 Vol 输出端高电平电压 Voh0-40VVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V 输出端电流范围；0-400mA If电流范围：0-400mA正向转换电流 IFT0-400mAVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V 输出端电流范围；0-400mA If电流范围：0-400mA电流传输比 ctrCtr=Io/If Io测量范围：0-400mAVcc电压范围：0-40V 使能端电压范围：0-40V 输出端电压范围；0-40V If电流范围：0-400mAJFET参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围夹断电压 Vp0-10V电流范围：0-40mA栅源截止电流 Igss0-10mA电压范围：0-1000V通态电流 Idss0-40AVds电压范围：0-40V Vgs电压范围：0-40V栅源击穿电压 BVgss0-1000V电流范围：0-10mA跨导 GMGFS=△Ids/△Vds Vgs测量范围：0-20VVds电压范围:0-40V Id电流范围：0-40A特性曲线测试测试参数测试范围测试条件范围三极管输出特性曲线基极电流：0-40A 集电极电流：0-40A 集电极电压：0-40V基极阶梯信号级数：1-8 单级曲线扫描点数：20-100场效应管输出特性曲线Veb1基极电流：0-40A 集电极电流：0-40A 集电极电压：0-40V基极阶梯信号级数：1-8 单级曲线扫描点数：20-100达林顿阵列参数测量范围测试参数测试范围测试条件范围放大倍数HFEHFE=Ic/Ib Ib测量范围：0-40AVce电压范围：0-40V Ic电流范围：0-40A集电极截止电流 Icex0-10mAVce电压范围：0-1000V集电极-发射极饱和压降Vcesat_Ii0-20VIc电流范围：0-40A Ii电流范围：0-40A集电极-发射极饱和压降Vcesat_Vi0-20VIc电流范围：0-40A Vi电压范围：0-10V导通状态输入电流 Is0-40AIc电流范围：0-40A Vi电压范围：0-10V Vs电压范围：0-20V导通状态输入电压 Vion0-10VVce电压范围：0-40V Ic电流范围：0-40A输出钳位二极管正向电压 Vf0-20VIf电流范围：0-40A输出钳位二极管反相电流 Ir0-10mAVr电压范围：0-1000V截止状态输入电流 Iioff0-400mAVce电压范围：0-40V Ice电流范围：0-40A导通状态输入电流 Iion0-400mAVce电压范围：0-40V Ice电流范围：0-40A2.5定制要求2.5.1MOS对管的测试(N-N,P-P,N-P)；2.5.2可以实现可控硅MCR12DSMT4G（厂家Littelfuse）的测试（VGRM、IGRM、VTM、IGT、VGT、IH、IL、IRGM）；2.5.3测试三极管场效应管时击穿电压时，施加10uA以下电流时测试结果应该稳定准确（无震荡现象）；2.5.4可以实现各种光耦类型测试（光电晶体管型，高速逻辑型、光可控硅/光双向可控硅型、光MOS型等）。例如：可以实现光耦TLP105（东芝）（VF、IR、VOL、VOH、ICCL、ICCH、IOSL、IOSH、IFLH、VFHL、IHYS）和光耦HCPL3120（VF、BVR、IOH、IOL、VOH、VOL、ICCH、ICCL、IFLH、VFHL）的测试。
投标 / 标书制作要点（原创）
本分立器件检测仪涉及「招标公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。
标书制作联系冯经理：17551026086
