NPN晶体管招标公告（中国空空导弹研究院2026）
询价基本信息
询价单名称：
易选平台器件寻源
采购企业：
中国空空导弹研究院
询价人姓名：
王星彤
对供应商的要求：
报价要求
比价结果有效期：
2026-10-03
合同/报价截止时间：
2026-04-06
报价要求：
含税报价
允许变更商品规格报价
允许变更品牌/制造商报价
允许部分报价
允许多个报价方案
报价价格类型：
到厂价
币种：
人民币
付款方式：
验收合格后付款
交货地址：
河南省洛阳市西工区解放路166号北门
补充说明：
无
询价附件：
序号
企业商品编码
商品名称
商品分类
规格描述
品牌
制造商
数量
单位
交货方式
交货日期/计划
原产地
特殊要求
1
00000121YSG01
NPN晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
300.0
个
1
总耗散G率：W；集电极电流：0.1A；集电极-发射极击穿电压(V)：45；正向电流传输比：30-150；集电极-发射极饱和电压：V；封装尺寸：SOT-23；质量等级：J；选型等级：优选；是否VMI：；备注：FD07,J,GB4589.1-2006/Q/LSGR 20278-2023
2
00000125YSG01
高频小G率开关三极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
18.0
个
1
总耗散G率：0.3W；集电极电流：0.3A；集电极-发射极击穿电压(V)：集电极-发射极反向击穿电压V(BR) CEO≥40V；正向电流传输比：100-300；集电极-发射极饱和电压：0.3V；封装尺寸：封装形式:B-1(A3-01B) 外X尺寸:φ5.84X30.4mm；质量等级：J；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
3
00000108YEG05
瞬态电压抑制二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
12.0
个
1
脉冲峰值G率：3000W；击穿电压（V）：44.4～49.1；钳位电压：64.5V；峰值电流：46.5A；反向工作电压：40V；封装尺寸：DO-214AB；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
4
00000121YEG01
整流二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
10.0
个
1
整流输出平均电流：0.3A；反向工作峰值电压：75V；正向电压最大值：1V；正向不重复浪涌电流(A)：3；反向电流最大值：100μA；封装尺寸：DO-35；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：2CK80D
5
00000123YSG01
NPN三极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
20.0
个
1
总耗散G率：0.3W；集电极电流：0.6A；集电极-发射极击穿电压(V)：40；正向电流传输比：100～300；集电极-发射极饱和电压：1V；封装尺寸：B1；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
6
00000121YEG01
整流二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
20.0
个
1
整流输出平均电流：0.3A；反向工作峰值电压：75V；正向电压最大值：1V；正向不重复浪涌电流(A)：3；反向电流最大值：100μA；封装尺寸：DO-35；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：2CK80D
7
00000037YSG02
N沟道场效应晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
40.0
个
1
漏-源击穿电压：150V；漏极直流电流：87A；栅极阀值电压(V)：3～4.5；导通电阻：0.0451Ω；栅极-源极电压(V)：±20；封装尺寸：DFN-56；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
8
00000120YEG01
肖特基二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
40.0
个
1
整流输出平均电流：20A；反向工作峰值电压：100V；正向电压最大值：0.8V；正向不重复浪涌电流(A)：；反向电流最大值：300μA；封装尺寸：TO-277；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
9
00000122YSG01
NPN三极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
40.0
个
1
总耗散G率：0.3W；集电极电流：0.6A；集电极-发射极击穿电压(V)：40；正向电流传输比：100～300；集电极-发射极饱和电压：1V；封装尺寸：SOT-23；质量等级：G；选型等级：可选；是否VMI：；备注：
10
00000121YSG01
NPN晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
384.0
个
1
总耗散G率：W；集电极电流：0.1A；集电极-发射极击穿电压(V)：45；正向电流传输比：30-150；集电极-发射极饱和电压：V；封装尺寸：SOT-23；质量等级：J；选型等级：优选；是否VMI：；备注：FD07,J,GB4589.1-2006/Q/LSGR 20278-2023
11
00000026YEG02
开关二极管阵列
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
274.0
个
1
反向工作峰值电流：0.000005A；正向电流：0.001A；正向电压最大值：6V；反向恢复时间最大值：300ns；反向电流最大值：5μA；封装尺寸：SOT23-6L；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：GTW0505,A4,QZJ840611/Q/QSD200XY-11
12
00000022YEG05
瞬态电压抑制二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
16.0
个
1
脉冲峰值G率：1500W；击穿电压（V）：60～66.3；钳位电压：87.1V；峰值电流：17.3A；反向工作电压：54V；封装尺寸：8.13mm×6.22mm×2.62mm；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：否；备注：
13
00000119YSG01
NPN晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
114.0
个
1
总耗散G率：W；集电极电流：0.6A；集电极-发射极击穿电压(V)：40；正向电流传输比：100；集电极-发射极饱和电压：0.4V；封装尺寸：SOT-23；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：
14
00000125YEG03
电压调整二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
5.0
个
1
总耗散G率：W；工作电压（V）：3.2V~4.5V(Iz = 10mA)；最大工作电流(A)：55mA；微分电阻最大值：70Ω；反向电流最大值：2000μA；封装尺寸：DO-35；质量等级：J；选型等级：优选；是否VMI：；备注：
15
00000117YSG01
NPN晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
42.0
个
1
总耗散G率：1.2W；集电极电流：2A；集电极-发射极击穿电压(V)：100；正向电流传输比：100～300；集电极-发射极饱和电压：0.25V；封装尺寸：SOT-89；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：
16
00000124YEG03
电压调整二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
42.0
个
1
总耗散G率：1W；工作电压（V）：12.4～13.7；最大工作电流(A)：0.115；微分电阻最大值：7Ω；反向电流最大值：1μA；封装尺寸：DO-214AC；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：
17
00000021YEG06
发光二极管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
34.0
个
1
峰值波长(nm)：580-595；发光强度：130mcd；正向电压最大值：2.6V；反向电压：5V；反向电流最大值：10μA；封装尺寸：1.6*0.8*0.6；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：黄色发光二极管
18
00000008YSG02
N沟道场效应晶体管
电子元器件/半导体分立器件
型号/件号:具体指标见特殊要求列内容
2.0
个
1
漏-源击穿电压：60V；漏极直流电流：100A；栅极阀值电压(V)：2~4；导通电阻：0.05Ω；栅极-源极电压(V)：±20；封装尺寸：6.15mm×5.4mm×1.3mm；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：否；备注：
投标 / 标书制作要点（原创）
本NPN晶体管涉及「招标公告」，投标方需重点关注：① 营业执照经营范围须含招标公告或对应服务类目；② 提供同类项目业绩证明；③ 报价方案与售后响应须明确；④ 紧盯投标截止与开标节点，建议提前完成标书制作与盖章。当地项目常要求本地化服务能力与快速响应，务必在投标文件中凸显。
标书制作联系冯经理：17551026086
